[发明专利]一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯PN结的方法有效
| 申请号： | 201410305672.3 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105217604B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郭丽伟;王逸非;陈小龙;贾玉萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在半绝缘硅面碳化硅(SiC(0001))晶片上生长石墨烯PN结的方法，包括步骤1)提供半绝缘硅面碳化硅晶片，清洗干净并干燥；2)对经步骤1)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片进行选区硼离子注入掺杂；3)将步骤2)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片置于保护性气氛中进行热退火处理；4)在所述保护性气氛的生长炉中以高温热分解法处理由步骤3)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片，得到在碳化硅衬底上原位外延生长的石墨烯PN结。本发明提供的原位生长石墨烯PN结的方法工艺简单，有利于实现稳定、规模化制备石墨烯双极器件或多极器件，具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 碳化硅 原位 外延 生长 石墨 pn 方法 | ||
【主权项】：
一种在半绝缘硅面碳化硅(SiC(0001))晶片上原位外延生长石墨烯PN结的方法，包括下述步骤：1)提供半绝缘硅面碳化硅晶片，清洗干净并干燥；2)将步骤1)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片进行选区硼离子注入；3)将步骤2)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片置于具有保护性气氛的生长炉中进行热退火处理；4)在具有保护性气氛的生长炉中以高温热分解法处理步骤3)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片，得到在碳化硅衬底上原位外延生长的石墨烯PN结。
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