[发明专利]一种半导体硅片及其平坦化方法、制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201410305832.4 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105405754B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硅片及其平坦化方法、制备方法和半导体器件，主要内容包括：针对形成了场氧化层的半导体硅片，利用氢氟酸溶液或氢氟酸与氟化氨的混合溶液，腐蚀位于半导体硅片中有源区的氮化硅之上的氮氧化硅；利用CMP工艺，对腐蚀掉氮氧化硅的半导体硅片的表面进行研磨；利用热磷酸将经过研磨的硅片的表面剩余的氮化硅腐蚀掉，得到半导体硅片。从而，使得在CMP工艺之前就将有源区的氮氧化硅全部腐蚀掉，避免了面积较小的半导体硅片的有源区的氮氧化硅研磨不彻底而导致残留有氮氧化硅区域的氮化硅不能完全腐蚀掉的问题，保证最终得到的半导体硅片中有源区的表面全部暴露出来，同时，还提高了半导体硅片的平坦化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体硅片 氮氧化硅 源区 腐蚀 研磨 氮化硅 平坦化 半导体器件 半导体硅 制备 氢氟酸溶液 混合溶液 氟化氨 氢氟酸 热磷酸 氧化层 硅片 残留 暴露 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体硅片的平坦化方法，其特征在于，所述方法包括：利用氢氟酸溶液或氢氟酸与氟化氨的混合溶液，腐蚀位于半导体硅片中有源区的氮化硅之上的氮氧化硅，其中，所述半导体硅片为形成了场氧化层的半导体硅片；利用化学机械研磨CMP工艺，对腐蚀掉氮氧化硅的半导体硅片的表面进行研磨；利用热磷酸将经过研磨的半导体硅片的表面剩余的氮化硅腐蚀掉，得到平坦化后的半导体硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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