[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够提高恢复耐量的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(11)，具有第1面(11a)和与第1面对置的第2面(11b)；第2导电型的第2半导体层(12)，设置于第1面侧；第2导电型的第3半导体层(13)，部分地设置在第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层(14)，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具备与第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域(14a)、以及具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域(14b)；第1导电型的第5半导体层(15)，设置于第2面；导电体(16)，经由绝缘膜(17)与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层相接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层，具有第1面和与所述第1面对置的第2面；第2导电型的第2半导体层，设置于所述第1面侧；第2导电型的第3半导体层，部分地设置在所述第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，具有与所述第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域、以及具有比所述第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域；第1导电型的第5半导体层，设置于所述第2面；导电体，经由绝缘膜与所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层相接；第1电极，与所述第2半导体层、所述第3半导体层以及所述导电体电连接；以及第2电极，与所述第5半导体层电连接。