[发明专利]热处理设备的温度补偿方法、温度控制方法及系统有效

专利信息
申请号: 201410307013.3 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104102247A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 王艾;徐冬;张乾 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: G05D23/20 分类号: G05D23/20
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 100016 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种温度补偿方法,包括在硅片保持件上安装多个第二温度传感器;将硅片保持件搬入处理容器内,各第二温度传感器和处理容器内的多个第一温度传感器一一对应;控制加热器以第二温度传感器为控温对象调整处理容器内的温度,使第二传感器采集的温度上升至多个离散温度点,当采集温度收敛于离散温度点时控制其在该离散温度点恒温一定时间段;在每一个离散温度点的恒温时间段内周期性地记录容器内多个第一温度传感器和第二温度传感器所采集的温度,并计算两者的温度差异值;在实际热处理工艺中,根据各离散温度点及其对应的温度差异值,通过线性插值法计算出设定温度所对应的温度差异值作为第一温度传感器所采集温度的温度补偿值。本发明的温度补偿方法能够真实反映硅片温度并抑制升温阶段的电力抖动。
搜索关键词: 热处理 设备 温度 补偿 方法 控制 系统
【主权项】:
一种用于半导体热处理设备的温度补偿方法,所述半导体热处理设备包括处理容器,对所述处理容器加热的加热器以及设于所述处理容器中将该处理容器的内部划分为多个区域的多个第一温度传感器,其特征在于,所述温度补偿方法包括以下步骤:S1,在硅片保持件上安装多个第二温度传感器;S2,将所述硅片保持件搬入所述处理容器内,各所述第二温度传感器与各所述第一温度传感器的位置一一对应;S3,控制所述加热器以所述第二温度传感器为控温对象调整所述处理容器内的温度,使每一所述第二传感器所采集的温度逐步上升至多个离散温度点,其中当所述第二温度传感器所采集的温度收敛于所述离散温度点时控制其在该离散温度点恒温一定时间段;S4,在每一个所述离散温度点的恒温时间段内周期性地记录每一所述区域的第一温度传感器和第二温度传感器所采集的温度,并计算出每一个所述离散温度点所对应的各所述区域的第二温度传感器和第一温度传感器所采集温度的温度差异值;以及S5,在实际热处理工艺中,根据各所述离散温度点及各所述离散温度点对应的各所述区域的所述温度差异值,通过线性插值法在线计算出所述热处理工艺的设定温度对应于所述区域的温度差异值作为该区域的所述第一温度传感器所采集温度的温度补偿值。
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