[发明专利]IGBT负阻问题的改善方法

摘要

本发明公开了一种IGBT负阻问题的改善方法，包括步骤：选择衬底材料并进行背面减薄。进行背面第一次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行热退火。完成IGBT的正面图形工艺。对衬底背面进行湿法腐蚀。进行背面第二次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行背面P型重掺杂离子注入形成P型注入层。进行激光退火激活。形成背面金属层。本发明能形成较厚的背面场终止层并能消除IGBT的负阻效应、提高产品的可靠性，能够现有半导体工艺兼容、工艺成本低。

主权项

1.一种IGBT负阻问题的改善方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、选择N型掺杂的衬底材料；对所述衬底进行背面减薄；步骤二、对所述衬底的背面进行第一次N型重掺杂离子注入形成第一N型场终止层；步骤三、对所述第一N型场终止层进行热退火；步骤四、在所述衬底正面完成IGBT的正面图形工艺，所述正面图形工艺的P阱和所述第一N型场终止层之间所述衬底作为N型漂移区；步骤五、对完成所述正面图形工艺的所述衬底背面进行湿法腐蚀，该湿法腐蚀将所述第一N型场终止层的背面去除一定厚度；步骤六、对所述衬底的背面进行第二次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层，所述第二N型场终止层的结深浅于所述第一N型场终止层的结深，由所述第一N型场终止层和所述第二N型场终止层组成IGBT的场终止层，通过所述第一N型场终止层来提高所述场终止层的厚度，通过所述第二N型场终止层来消除所述正面图形工艺过程中引入到所述衬底背面的杂质对后续形成的P型注入层的影响；步骤七、对所述衬底的背面进行P型重掺杂离子注入形成所述P型注入层，所述P型注入层位于所述第二N型场终止层背面并由所述P型注入层组成IGBT的集电区；步骤八、对所述第二N型场终止层和所述P型注入层进行激光退火激活；步骤九、在所述衬底的背面形成背面金属层。