[发明专利]半导体功率器件的强化导线焊接点的方法有效

专利信息
申请号: 201410307596.X 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104064484B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 石海忠;顾夏茂;郇林香;毛倩;施清云 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 孟阿妮
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体功率器件的强化导线焊接点的方法,包括以下步骤:(1)将框架内引线的至少一侧的边向上竖起,形成翻边;(2)导线焊接在翻边以外的框架内引线表面的焊接区;(3)将框架内引线、翻边及导线与焊接区连接的一端的外围用塑封料进行塑封。本发明通过设置翻边及塑封层,使框架内引线形成锁定结构,形成过程简单,框架内引线的锁定结构在塑封后通过塑封料的反作用力,可以有效提高导线跟框架内引线之间的结合力,从而改善导线的剥离强度,提高功率产品的可靠性。
搜索关键词: 半导体 功率 器件 强化 导线 焊接 方法
【主权项】:
一种半导体功率器件的强化导线焊接点的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将框架内引线的两侧的边向上竖起,在两侧形成翻边;将框架内引线的至少一侧的边向上竖起,形成翻边;(2)导线焊接在两侧的翻边之间的焊接区;(3)将框架内引线、翻边及导线与焊接区连接的一端的外围用塑封料进行塑封;所述步骤(2)和步骤(3)之间还包括:给每个翻边的上方放置一斜面结构,推进机构分别带动一斜面结构向下移动,使斜面结构中的斜面挤压框架内引线两侧的翻边,当斜面结构下行到最低位后向上回复到原位,最终翻边与斜面平行。
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