[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410307930.1 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105226101B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 李永华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结型场效应晶体管，包括衬底，衬底内的埋层，埋层上的第一阱区和第二阱区，第一阱区内的源极引出区、漏极引出区、第一栅极引出区，以及第二阱区内的第二栅极引出区；所述第一阱区的表面设有肖特基结面，所述肖特基结面位于所述第一栅极引出区和所述漏极引出区之间，并通过隔离结构与所述第一栅极引出区和漏极引出区进行隔离。本发明还涉及一种结型场效应晶体管的制造方法。本发明利用设于N阱上方的肖特基结面，在N阱的N型漂移区内形成空乏区，使得漂移区被耗尽，从而达到提高崩溃电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结型场效应晶体管，包括衬底，衬底内的埋层，埋层上的第一阱区和第二阱区，第一阱区内的源极引出区、漏极引出区、第一栅极引出区，以及第二阱区内的第二栅极引出区；所述衬底为第二掺杂类型，所述埋层包括第二掺杂类型埋层，所述第一阱区为第一掺杂类型，所述第二阱区为第二掺杂类型，所述第一栅极引出区和第二栅极引出区为第二掺杂类型，所述源极引出区和漏极引出区为第一掺杂类型，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型的导电类型相反；其特征在于，所述第一阱区的表面设有肖特基结面，所述肖特基结面位于所述第一栅极引出区和所述漏极引出区之间，并通过隔离结构与所述第一栅极引出区和漏极引出区进行隔离。
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