[发明专利]一种半导体器件中的静电放电保护结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201410307952.8 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448893B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 马强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 唐灵,常亮 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的静电放电保护结构及半导体器件，该静电放电保护结构具有一对背靠背的二极管，在其中一个二极管结区的上方设有始终接地的场板，利用场板与N型沟道区之间的内电场，使得结区的耗尽层增大，以达到增加击穿电压的大小，同时由于没有场氧化层的存在，所以导通电阻Rdson减小，使得耐受电流的值也增加，有效的解决击穿电压和耐受电流之间的矛盾问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 中的 静电 放电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件中的静电放电保护结构，其特征在于：包括第一导电型的衬底、设置在该衬底上的外延层，该外延层上具有第二导电型的第一阱区，对该第一阱区的部分表面进行第一导电型轻掺形成的第二阱区和第三阱区，分别在第二阱区和第三阱区中进行第一导电型重掺形成的第四阱区、第五阱区，所述第二阱区和第三阱区之间设有一段由第一阱区形成的且露出在外延层表面的沟道区，该第二阱区、第三阱区和第一阱区的交界处形成两个背靠背的PN结，其中至少一个PN结的上方设有一块始终接地的场板。
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