[发明专利]一种提高闪存单元有效沟道宽度的方法有效
| 申请号： | 201410308660.6 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448803B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 于法波;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高闪存单元有效沟道宽度的方法，包括：在半导体衬底上刻蚀隔离区和有源区，其中，所述半导体衬底由硅衬底、牺牲氧化硅层和掩膜氮化硅层依次叠层而成；对所述掩膜氮化硅层进行回刻至所述牺牲氧化硅层，并以剩余掩膜氮化硅层为掩膜刻蚀所述牺牲氧化硅层至所述硅衬底；形成第一衬垫氧化硅层，其中，所述第一衬垫氧化硅层的厚度处于5nm～15nm之间；去除所述第一衬垫氧化硅层，以形成圆滑转角的半导体结构；采用高温氧化法淀积第二衬垫氧化硅层并致密化处理。本发明通过高温氧化法淀积第二衬垫氧化硅层并致密化处理，使硅衬底的沟道边沿的硅免受二次损耗并提高了第二衬垫氧化硅层的绝缘性能，达到了提高有效沟道宽度和器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 衬垫氧化硅层 掩膜 牺牲氧化硅层 有效沟道宽度 氮化硅层 硅衬底 高温氧化法 致密化处理 闪存单元 衬底 淀积 刻蚀 半导体 半导体结构 绝缘性能 器件性能 圆滑转角 隔离区 叠层 沟道 回刻 去除 源区 | ||
【主权项】：
一种提高闪存单元有效沟道宽度的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上刻蚀隔离区和有源区，其中，所述半导体衬底由硅衬底、牺牲氧化硅层和掩膜氮化硅层依次叠层而成；对所述掩膜氮化硅层进行回刻至所述牺牲氧化硅层，并以剩余掩膜氮化硅层为掩膜刻蚀所述牺牲氧化硅层至所述硅衬底；形成第一衬垫氧化硅层，其中，所述第一衬垫氧化硅层的厚度处于5nm～15nm之间；去除所述第一衬垫氧化硅层，以形成圆滑转角的半导体结构；在高温条件下，通过化学气相沉淀法淀积第二衬垫氧化硅层并致密化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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