[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有两个以上分立且平行排列的鳍部；形成隔离层，隔离层表面低于鳍部的顶部表面；在隔离层表面形成横跨多个鳍部的栅极结构；对栅极结构一侧鳍部进行第一离子注入,第一离子注入的注入方向在半导体衬底表面的投影与鳍部长度方向之间的锐角夹角为第一扭转角，所述第一扭转角大于0°小于45°；对栅极结构另一侧鳍部进行第二离子注入，并且第二离子注入的注入方向在半导体衬底表面的投影与鳍部长度方向之间的锐角夹角为第二扭转角，所述第二扭转角大于0°小于45°。上述方法可以降低相邻鳍部对离子注入的阻挡效应，从而提高鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有两个以上分立且平行排列的鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述隔离层表面形成横跨一个或多个鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部侧壁和顶部；对所述栅极结构一侧鳍部进行第一离子注入，所述第一离子注入的注入方向与栅极结构相对，并且所述第一离子注入的注入方向在半导体衬底表面的投影与鳍部长度方向之间的锐角夹角为第一扭转角，所述第一扭转角大于0°小于45°；对所述栅极结构另一侧鳍部进行第二离子注入，所述第二离子注入的注入方向与栅极结构相对，并且所述第二离子注入的注入方向在半导体衬底表面的投影与鳍部长度方向之间的锐角夹角为第二扭转角，所述第二扭转角大于0°小于45°；所述第一离子注入的注入方向与半导体衬底法线之间的倾斜角的正切值小于或等于相邻鳍部的间距与鳍部顶部与隔离层表面的高度差之间的比值；所述第二离子注入的注入方向与半导体衬底法线之间的倾斜角的正切值小于或等于相邻鳍部的间距与鳍部顶部与隔离层表面的高度差之间的比值。