[发明专利]半导体发光元件在审

专利信息
申请号: 201410309048.0 申请日: 2014-07-01
公开(公告)号: CN104282810A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 胜野弘;斎藤真司;桥本玲;黄钟日;布上真也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例,一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【主权项】:
一种半导体发光元件,包括:第一电极;第一发光单元,其包括第一半导体层,第二半导体层,以及第一发光层,所述第一半导体层在第一方向上与所述第一电极分开并且包括第一半导体部分和第二半导体部分,所述第二半导体部分与所述第一半导体部分设于与所述第一方向交叉的方向上,所述第二半导体层设于所述第二半导体部分与所述第一电极之间,所述第一发光层设于所述第二半导体部分与所述第二半导体层之间;第二发光单元,其包括第三半导体层,第四半导体层,以及第二发光层,所述第三半导体层设于所述第一电极与所述第一发光单元之间,所述第四半导体层设于所述第三半导体层与所述第一电极之间,所述第四半导体层电连接到所述第一电极,所述第二发光层设于所述第三半导体层与所述第四半导体层之间;第一导电层,其包括第一衬垫设置部分,和第一层间部分,所述第一层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间,所述第一衬垫设置部分和所述第一层间部分设于与所述第一方向交叉的方向上,所述第一导电层电连接到所述第三半导体层;第二导电层,其包括第二衬垫设置部分,和第二层间部分,所述第二层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间,所述第二衬垫设置部分和所述第二层间部分设于与所述第一方向交叉的方向上,所述第二导电层电连接到所述第二半导体层;第一连接电极,其在所述第一方向上延伸并电连接所述第一层间部分和所述第一半导体部分;第一电介质层,其设于所述第一连接电极与所述第二半导体层之间、所述第一连接电极与所述第一发光层之间、以及所述第一连接电极与所述第二导电层之间;第一衬垫,其电连接到所述第一衬垫设置部分;第二衬垫,其电连接到所述第二衬垫设置部分;以及第一发光单元间电介质层,其设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间、所述第一发光单元与所述第一导电层之间、所述第二导电层与所述第二发光单元之间、以及所述第一导电层与所述第二导电层之间,所述第一发光单元间电介质层是透光的。
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