[发明专利]一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法

摘要

本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：SiN侧墙为发射极金属提供化学保护，避免在湿法腐蚀发射区材料时腐蚀液对发射极金属造成腐蚀；为发射极提供机械固定，避免条形脱落；为自对准工艺提供发射极与基极之间的电隔离，从而提高磷化铟基异质结晶体管发射极成品率与可靠性。

主权项

一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）在磷化铟异质结晶体管外延材料上通过蒸发剥离方法或者刻蚀方法制作发射极金属条形；2）在晶片正面淀积一层SiN薄膜，厚度范围为5纳米到1微米；3）利用刻蚀设备，刻蚀发射极顶部以及外延材料上的SiN，留下发射极金属侧壁SiN薄膜，形成一层SiN侧墙；4）以发射极金属为腐蚀掩模，采用湿法腐蚀去除发射区外延材料；5）采用自对准方法制备基极接触金属，完成磷化铟基异质结晶体管侧墙保护发射极制作。