[发明专利]一种溅镀装置及溅镀方法在审
申请号: | 201410309202.4 | 申请日: | 2014-06-30 |
公开(公告)号: | CN104060234A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 刘兵 | 申请(专利权)人: | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种溅镀装置及溅镀方法。所述一种溅镀装置,其包括:溅射源,溅射源包括激发单元及溅射靶,激发单元用于形成第一撞击粒子来撞击溅射靶以形成镀膜粒子,镀膜粒子用于在待镀膜基板上形成镀膜层;以及离子源,其朝向待镀膜基板设置以用于形成第二撞击粒子来在镀膜粒子在待镀膜基板上形成镀膜层的过程中对镀膜粒子进行撞击以使镀膜粒子分布均匀化。本发明具有提高了镀膜粒子在待镀膜基板沉积成膜的均匀性、提高的膜层的致密性及均匀性,以及不需要额外的能量来使待镀膜基板表面的膜层保持活化状态,就可以得到结构均匀、致密的膜层结构,从而在保证了膜层均匀、致密的同时,还能够大大降低镀膜的能耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种溅镀装置,其包括:溅射源,所述溅射源包括激发单元及溅射靶,所述激发单元用于形成第一撞击粒子来撞击所述溅射靶以形成镀膜粒子,所述镀膜粒子用于在待镀膜基板上形成镀膜层;以及离子源,其朝向所述待镀膜基板设置以用于形成第二撞击粒子来在所述镀膜粒子在所述待镀膜基板上形成镀膜层的过程中对所述镀膜粒子进行撞击以使所述镀膜粒子分布均匀化。
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