[发明专利]光刻胶图形的灰化方法有效
| 申请号： | 201410310233.1 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105223787B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孟晓莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶图形的灰化方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成至少两次光刻胶图形；每次形成光刻胶图形后，以相应的光刻胶图形为掩膜，对衬底进行离子掺杂，相应光刻胶图形中会掺杂入不同含量的掺杂离子；离子掺杂后，采用含有氢气的灰化气体灰化相应的光刻胶图形，掺杂入不同含量离子的光刻胶图形所采用的灰化气体中氢气的含量不同。本发明的有益效果在于，可以减小对衬底的影响；对光刻胶图形的灰化速率也相对较高；此外，增加控制灰化光刻胶图形的灵活度，调整灰化光刻胶图形的速率与灰化光刻胶图形的彻底程度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图形 灰化 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶图形的灰化方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成至少两次光刻胶图形；每次形成光刻胶图形后，以相应的光刻胶图形为掩膜，对衬底进行离子掺杂，相应光刻胶图形中会掺杂入不同含量的掺杂离子；离子掺杂后，采用含有氢气的灰化气体灰化相应的光刻胶图形，掺杂入不同含量离子的光刻胶图形所采用的灰化气体中氢气的含量不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410310233.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
