[发明专利]一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410311136.4 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104518006B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;肖添;钟怡;胡镜影;张培健;刘嵘侃 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法，所述超势垒整流器采用耗尽型沟道形成超势垒区，正向导通时的阳极欧姆接触由阳极金属和强反型的超势垒区自动形成。该耗尽型沟道超势垒整流器包括第一导电类型衬底、轻掺杂第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、场介质层、栅介质层、多晶硅层、金属层和化合物金属层，以及下电极金属层和上电极金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 沟道 超势垒 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种耗尽型沟道超势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底(10)、轻掺杂第一导电类型漂移区(20)、第二导电类型体区(22)、栅介质层(31)、多晶硅层(32)、化合物金属层(33)和金属层(34)；轻掺杂第一导电类型漂移区(20)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底(10)之上；第二导电类型体区(22)浮空于轻掺杂第一导电类型漂移区(20)中；栅介质层(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型漂移区(20)之上的部分表面；多晶硅层(32)覆盖于栅介质层(31)之上；具有金属导电特性的化合物金属层(33)同时连接第二导电类型体区(22)、轻掺杂第一导电类型漂移区(20)；化合物金属层(33)还覆盖于多晶硅层(32)之上；金属层(34)覆盖于化合物金属层(33)之上。
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