[发明专利]Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列的制备方法的技术方案，涉及钴作主要成分的非晶态合金，将用100mL去离子水配制得到的摩尔浓度配比为SmCl₃·6H₂O∶CoCl₂·6H₂O∶H₃BO₃∶甘氨酸∶抗坏血酸＝0.5～1.8∶2～5∶5～10∶4～8∶3～7的电解沉积液放入专用的Sm-Co合金非晶磁性纳米线沉积装置的电解沉积槽中进行纳米线的沉积，再对沉积的Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列进行退火处理，制得Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列产品。本发明方法克服了现有技术中Sm-Co合金纳米线即Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列沉积率低的缺陷。

主权项

Sm‑Co合金非晶磁性纳米线阵列的制备方法，其特征在于步骤如下：第一步，安装专用的Sm‑Co合金非晶磁性纳米线沉积装置：该装置由石墨C电极、电解沉积槽、垫圈、 AAO模板、Cu电极、直流稳压电源和磁力搅拌器构成，上述部件的连接方式是：石墨C电极与直流稳压电源的正极相连，垫圈保证Cu电极与AAO模板紧密相接并与直流稳压电源的负极相连，磁力搅拌器安置在电解沉积槽底部，由此安装成专用的Sm‑Co合金非晶磁性纳米线沉积装置；第二步，AAO模板的前处理和电解沉积液的配制：首先将AAO模板浸泡在去离子水中，置于60℃水浴中1min，然后置于超声波发生器中用超声波震荡，至充分赶走纳米孔洞中的气泡，以备使用，用100 mL去离子水将化学试剂SmCl₃·6H₂O、CoCl₂·6H₂O、H₃BO₃、甘氨酸和抗坏血酸进行溶解配制得到电解沉积液，该电解沉积液的摩尔浓度配比为SmCl₃·6H₂O∶CoCl₂·6H₂O∶H₃BO₃∶甘氨酸∶抗坏血酸＝0.5～1.8∶2～5∶5～10∶4～8∶3～7；第三步，沉积Sm‑Co合金非晶磁性纳米线阵列：在第一步的专用的Sm‑Co合金非晶磁性纳米线沉积装置中，以第二步中处理好的AAO模板为阴极，石墨C电极为阳极，将第二步配制好的电解沉积液放入专用的Sm‑Co合金非晶磁性纳米线沉积装置的电解沉积槽中，用磁力搅拌器搅拌均匀，同时采用直流2V电压在配置好的电解沉积液中进行纳米线的沉积，随着沉积时间的延长，AAO模板的颜色由浅变深，直到AAO模板表面有一层灰色的薄膜出现，表明Sm‑Co合金非晶磁性纳米线阵列已沉积完毕，AAO模板的纳米孔洞被填满，获得的纳米线的长径比为70～120:1；第四步，对沉积的Sm‑Co合金非晶磁性纳米线阵列进行退火处理：将第三步中得到的带有AAO模板的Sm‑Co合金非晶磁性纳米线阵列放入压力＜10^‑2Pa的真空烧结炉中，采用如下工艺参数进行晶化处理：在一直进行抽真空操作保持压力＜10^‑2Pa的条件下，以1℃/min～10℃/min速度从室温加热到设定的温度500℃～760℃，到设定的温度并再保持10min后，再充入Ar气保护，再保温3h，然后随炉冷却到室温，最终制得Sm‑Co合金非晶磁性纳米线阵列产品。