[发明专利]一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410312271.0 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104037219B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;董良;代波;杜锴;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2，所述有机绝缘层PTFE上依次设有ITO栅电极1和high‑k介质层，所述high‑k介质上设有ITO栅电极2，所述源极与有机绝缘层PTFE之间设有钝化层1，所述漏极与有机绝缘层PTFE之间设有钝化层2。本发明采用浮栅结构俘获电子实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件，避免了采用F离子注入引入的晶格损伤以及栅区域干法刻蚀引入的大量界面态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 增强 algan ganhemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述有机绝缘层PTFE上依次设有ITO栅电极1和high‑k介质层，所述high‑k介质上设有ITO栅电极2，所述源极与有机绝缘层PTFE之间设有钝化层1，所述漏极与有机绝缘层PTFE之间设有钝化层2。
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