[发明专利]用于晶体培养的坩埚在审
| 申请号： | 201410312751.7 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105220223A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 海克·拉切尔;贝恩德·克莱因帕斯;马蒂亚斯·霍赫斯特拉塞尔;程东骥;马丁·韦布霍弗;沃尔夫冈·埃贝勒;沃尔特·黑默勒 | 申请（专利权）人： | 攀时（上海）高性能材料有限公司;攀时奥地利公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;张杰 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于单晶培养的坩埚，该坩埚由W、Mo、Re、这些金属的合金或基础合金构成；本发明还涉及一种坩埚(2)的制造方法，对此坩埚(2)的指向外侧的外表面(4)的至少一部分至少局部地包含具有5至500μm之间平均花纹深度(a)的凹凸花纹。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 培养 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于晶体培养、特别是单晶培养的坩埚，所述坩埚由W、Mo、Re、这些金属的合金或基础合金构成，其特征在于，坩埚(2)的外表面(4)至少局部地包含具有5至500μm之间的平均花纹深度(a)的凹凸花纹。
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