[发明专利]一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410312757.4 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104064595B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;董良;代波;杜锴;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上依次设有源极、钝化层1、ITO栅电极1、有机绝缘层PTFE、钝化层2、LiF和漏极，所述源极与ITO栅电极1之间设有钝化层1，所述PTFE上设有ITO栅电极2，所述PTFE与漏极间设有钝化层2，所述漏极与钝化层2间设有LiF薄膜层，所述漏极与LiF层上设有Al金属层。本发明利用LiF和Al所产生的偶极子层增加了2DEG浓度，减小了器件导通电阻，并漏场板结构提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 增强 algan gan mishemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上依次设有源极、钝化层1、ITO栅电极1、有机绝缘层PTFE、钝化层2、LiF和漏极，所述源极与所述ITO栅电极1之间设有钝化层1，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极2，所述有机绝缘层PTFE靠近漏极一侧设有钝化层2，所述漏极与钝化层2之间淀积有LiF薄膜层，所述漏极与LiF薄膜层上淀积有Al金属层。
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