[发明专利]一种半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201410313059.6 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282574B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | A.V.博罗特尼科夫;P.A.罗西 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及制造方法，所述半导体装置包括碳化硅(SiC)漂移层，其安置于(0001)取向的SiC基底上。所述SiC漂移层具有非平面表面，所述非平台表面包括多个重复特征，所述多个重复特征平行于所述半导体装置的沟道的长度取向。此外，所述沟道区域安置在所述SiC漂移层的特定晶面内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n碳化硅SiC漂移层，其安置在(0001)取向的SiC基底之上，其中所述SiC漂移层包括非平面表面，所述非平面表面包括具有沟槽的多个重复特征，所述多个重复特征平行于所述半导体装置的沟道的长度取向，并且其中所述沟道安置在所述SiC漂移层的特定晶面内，其中所述重复特征中的掺杂剂浓度在数值上小于或等于所述SiC漂移层的临界电荷的大约两倍除以所述重复特征的宽度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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