[发明专利]基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410313465.2 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104064611A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李伟;吴程呈;渠叶君;钟豪;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，其包括P型Si衬底（1）、位于P型Si衬底（1）中心上方的微纳米结构硅层N+区（2）、位于P型Si衬底（1）两侧上方的保护环区即N区（3）、设置在微纳米结构硅层N+区（2）和N区（3）上表面的上端电极（4）以及位于P型Si衬底（1）下表面的下端电极（5）；所述微纳米结构硅层N+区（2）的深度小于保护环区即N区（3）的深度。本发明解决了传统Si-APD光电探测器响应度较低、无法响应近红外波段等问题，可使响应波段扩展到近红外波段，响应度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 结构 si apd 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于微纳米结构的Si‑APD光电探测器，其特征在于，包括P型Si衬底（1）、位于P型Si衬底（1）中心上方的微纳米结构硅层N+区（2）、位于P型Si衬底（1）两侧上方的保护环区即N区（3）、设置在微纳米结构硅层N+区（2）和N区（3）上表面的上端电极（4）以及位于P型Si衬底（1）下表面的下端电极（5）；所述微纳米结构硅层N+区（2）的深度小于保护环区即N区（3）的深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410313465.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管绝缘层的制备方法
- 下一篇：堆叠光二极管结构及光传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
