[发明专利]内存装置及其制造方法

摘要

本发明是关于一种内存装置及其制造方法，该内存装置包含基板、柱状通道层和电荷捕捉层，该柱状通道层设置于该基板上，且包含周边侧壁，该电荷捕捉层，围绕该周边侧壁。该制造方法包括提供工件，其中该工件包含具有侧壁的条状漏/源极材料区、设置于该条状漏/源极材料区上的通道材料区、和覆盖该条状漏/源极材料区的该侧壁的隔离介电材料区；以及借由移除该通道材料区的特定部分和该隔离介电材料区的特定部分，暴露该条状漏/源极材料区的该侧壁、且使该通道材料区的留存部分形成柱状通道层。利用本发明中的内存装置及其制造方法以改善短通道效应，使得内存装置的信道长度不受栅极临界尺寸的影响，增加其通道长度。

主权项

一种内存装置，其特征在于包含：基板；该基板包含：本体部分，包含台面和相邻于该台面的凹槽；轻掺杂区，设置于该台面上，且包含顶表面和底表面；以及隔离介电层，设置于该凹槽上，且包含顶表面，其中该隔离介电层的该顶表面高于该轻掺杂区的该底表面，且低于该轻掺杂区的该顶表面；柱状通道层，设置于该基板上，且包含周边侧壁；电荷捕捉层，围绕该柱状通道层的该周边侧壁；条状漏/源极，设置于该轻掺杂区和该柱状通道层之间；帽层漏/源极，设置于该柱状通道层上，且包含周边侧壁和相邻于该周边侧壁的顶表面，其中该电荷捕捉层更围绕该帽层漏/源极的该周边侧壁，且该台面、该轻掺杂区、该条状漏/源极、该柱状通道层、和该帽层漏/源极排列成一条直线；第一氧化物层，设置于该电荷捕捉层和该条状漏/源极、该电荷捕捉层和该柱状通道层、以及该电荷捕捉层和该帽层漏/源极之间；第二氧化物层，设置于该电荷捕捉层上；以及栅极，设置于该第二氧化物层上，且围绕该柱状通道层的该周边侧壁和该帽层漏/源极的该周边侧壁。