[发明专利]一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法有效
| 申请号： | 201410314766.7 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104030360A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王世革;陈航榕;施剑林;马明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法，所述方法包括：以四硫代钼酸铵为Mo源和S源，或者以钼酸铵为Mo源并以硫脲为S源，将其溶于水或者水和聚乙二醇的混合溶剂中，在200-220℃热处理12-18小时后，经分离、洗涤得到MoS2纳米片，其中控制Mo源和S源的种类、浓度和/或所用溶剂以控制所述MoS2纳米片的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos sub 纳米 可控 合成 同步 表面 修饰 方法 | ||
【主权项】：
一种MoS2纳米片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：以四硫代钼酸铵为Mo源和S源，或者以钼酸铵为Mo源并以硫脲为S源，将其溶于水或者水和聚乙二醇的混合溶剂中，在200—220℃热处理12—18小时后，经分离、洗涤得到MoS2纳米片，其中控制Mo源和S源的种类、浓度和/或所用溶剂以控制所述MoS2纳米片的尺寸。
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