[发明专利]用于GaN膜中掺杂剂物质的电活化的方法有效
| 申请号： | 201410315563.X | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282532B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 克莱尔·阿格拉费伊 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;王玉桂 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于GaN膜中掺杂剂物质的电活化的方法。该方法包括以下步骤：a)提供包括支撑衬底(2)和含有掺杂剂物质的GaN膜(3)的叠层，b)将厚度大于2微米的屏蔽层(6)直接粘结至所述GaN膜(3)的表面，从而形成活化结构(7)，和c)根据使得电活化至少一部分所述掺杂剂物质的条件，向所述活化结构(7)应用热预算。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 掺杂 物质 活化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于GaN膜(3)中掺杂剂物质的电活化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a)提供包括支撑衬底(2)和含有掺杂剂物质的GaN膜(3)的叠层(1)，b)通过直接粘结将厚度大于2微米的屏蔽层(6)粘结至所述GaN膜(3)的表面，从而形成活化结构(7)，以及c)根据被构造成用于电活化至少一部分所述掺杂剂物质的条件，向所述活化结构(7)应用热预算，其中所述“直接粘结”是指直接粘结而不插入粘合剂材料。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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