[发明专利]具有核-壳结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201410315836.0 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104916677B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·H.·迪亚兹;林群雄;张惠政;章勋明;王建勋;黄懋霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有核‑壳结构的半导体器件。一种器件结构包括形成在支撑件上的核结构、以及形成核结构上并且围绕核结构的至少一部分的壳材料。壳材料和核结构配置为在壳材料中形成量子阱沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：核结构，形成在支撑件上；以及壳材料，形成在所述核结构上并且围绕所述核结构的至少一部分，所述壳材料和所述核结构配置为在所述壳材料中形成量子阱沟道；其中，所述核结构具有在第一范围内的第一厚度，所述壳材料具有在第二范围内的第二厚度，至少基于与所述核结构的所述第一厚度相关联的信息来确定与所述壳材料相关联的所述第二范围，其中，所述核结构对量子沟道具有厚度下限，并且为了减小由所述核结构和所述壳材料之间的晶格失配产生的位错而具有厚度上限，并且，所述壳材料对传导电流具有厚度下限，并且为了减小由所述核结构和所述壳材料之间的晶格失配产生的位错而具有厚度上限。
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