[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201410315946.7 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104733038B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 尹正赫;卓静美 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C11/4091;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置可以包括：编程电压发生块，被配置成响应于编程代码而产生编程电压；预充电电压发生块，被配置成响应于编程代码和地址而产生预充电电压；以及主位线，被配置成被施加有编程电压和预充电电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：编程电压发生块，被配置成响应于编程代码而产生编程电压；预充电电压发生块，被配置成响应于所述编程代码和地址而产生预充电电压；以及主位线，被配置成被施加有所述编程电压和所述预充电电压。
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