[发明专利]高TCR吸收敏感复合薄膜的THz探测结构及制备方法有效
| 申请号： | 201410317372.7 | 申请日： | 2014-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN104075811B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王军;丁杰;郭晓珮;樊林;苟君;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米管和高TCR细胞色素C复合的吸收敏感复合薄膜的THz探测结构制备方法。该吸收敏感复合薄膜制备在太赫兹探测结构的顶层。该复合薄膜利用了碳纳米管的特殊光学性质，能显著增强探测结构对THz波段辐射的吸收效率。同时因为细胞色素C具有很高的TCR,与非晶硅，氧化钒，金属钛，钇钡铜氧化物等常用热敏材料相比，细胞色素C具有更高的TCR值，其TCR为20％/K～38％/K，使该复合薄膜具有优异的热敏性能。因此该复合薄膜同时具有吸收层和敏感层的功能，能大大提高探测器的灵敏度和加快响应时间，提高了太赫兹探测器的探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | tcr 吸收 敏感 复合 薄膜 thz 探测 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高TCR吸收敏感复合薄膜的THz探测结构，用于太赫兹波辐射的探测与成像，其特征在于：该探测结构包括吸收敏感复合薄膜、微桥结构和读出电路三个部分，吸收敏感复合薄膜(30)是高TCR细胞色素C溶液与碳纳米管复合材料混合制成的；微桥结构包括电极(26)、支撑层(25)、缓冲层(24)、牺牲层(23)和底层反射层(22)，读出电路包括微桥结构的接口(21)。
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