[发明专利]包括等温处理区的等离子体处理设备

摘要

本发明涉及包括等温处理区的等离子体处理设备，即涉及一种具有等温处理区的用于处理半导体衬底的沉积设备，其包括化学离析室，半导体衬底在化学离析室中处理。处理气体源流体连通喷头模块，喷头模块从处理气体源输送处理气体到等温处理区，其中喷头模块包括：面板，其中面板的下表面形成限定等温处理区的腔体的上壁；背板；和隔离环，隔离环包围面板和背板。至少一个压缩密封件被压缩在面板与背板之间，在面板与背板之间形成中心气体充气室。衬底基座模块被配置为加热并支撑半导体衬底，其中基座模块的上表面在化学离析室内形成限定等温处理区的腔体的下壁。真空源流体连通等温处理区，以便从等温处理区抽空处理气体。

主权项

1.一种具有等温处理区的用于处理半导体衬底的沉积设备，其包括：化学离析室，半导体衬底在所述化学离析室中处理；处理气体源，其与所述化学离析室流体连通，以供应处理气体到所述化学离析室中；喷头模块，其将来自所述处理气体源的处理气体输送到所述等温处理区，其中所述喷头模块包括：面板，其中所述面板的下表面形成限定所述等温处理区的腔体的上壁；背板；隔离环，所述隔离环包围所述面板和所述背板，其中所述隔离环支撑所述背板；支撑元件，所述支撑元件将所述面板连接到所述背板；和至少一个压缩密封件，所述至少一个压缩密封件在所述面板与所述背板之间形成中心充气室的外周，其中所述支撑元件与所述面板之间的接触面积小于所述面板的总表面积的1％；以及衬底基座模块，其被配置为加热并支撑半导体衬底，其中所述衬底基座模块的上表面在所述化学离析室内形成限定所述等温处理区的所述腔体的下壁，其中所述面板是陶瓷面板并且其中所述沉积设备进一步包括环形射频接触件，所述环形射频接触件由具有至少一个弯曲的金属带制成，其中所述环形射频接触件电性连接到嵌入所述陶瓷面板中的射频电极，并且其中所述环形射频接触件在所述背板与所述陶瓷面板之间形成外部气体充气室的外周，其中所述支撑元件包括至少一个向上延伸的凸起，所述凸起与所述陶瓷面板接触，其中所述至少一个向上延伸的凸起位于所述隔离环的内部环形凸缘上，其中所述隔离环的内部环形凸缘位于所述陶瓷面板的外部下方。