[发明专利]半导体静电吸附装置在审

专利信息
申请号: 201410317745.0 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104084309A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 王健 申请(专利权)人: 王健
主分类号: B03C3/04 分类号: B03C3/04;B03C3/45
代理公司: 佛山市粤顺知识产权代理事务所 44264 代理人: 唐强熙
地址: 528300 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体静电吸附装置,包括吸附模块,吸附模块接通正负电极,并形成有电场吸附区,吸附模块的进风侧设置有放电针,放电针接通正负电极,并形成电场极化区,空气中的吸附物经过放电针的电场极化区后带上电荷,并随着气流进入吸附模块的电场吸附区后吸附。本发明设置有包裹半导体石墨电极的绝缘塑料吸附片,通过吸附片的尖端靠拢,产生均匀的电磁场,电磁场吸附面积通过尖端微电流的作用,不但让电磁场产生更均匀,还增加了吸附面积,吸附模块输入的直流高压远远小过现有技术的高压,不但节能环保,在电场均匀度同等情况下还能增大吸附面积,另外本装置完全无臭氧产生,只是单纯的吸附颗粒物,而且可以多次循环使用,实用性强。
搜索关键词: 半导体 静电 吸附 装置
【主权项】:
一种半导体静电吸附装置,包括吸附模块(1),其特征在于:吸附模块(1)接通正负电极,并形成有电场吸附区(2),吸附模块(1)的进风侧设置有放电针(3),放电针(3)接通正负电极,并形成电场极化区(4),空气中的吸附物经过放电针(3)的电场极化区(4)后带上电荷,并随着气流进入吸附模块(1)的电场吸附区(2)后吸附。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王健,未经王健许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410317745.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top