[发明专利]一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410318075.4 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104051523A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;刘沙沙 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法，半导体器件从下到上依次包括：衬底层；氮化物成核层；氮极性面的氮化物缓冲层；氮化物势垒层；氮化物沟道层；氮化物过渡层；氮化物帽层；氮化物过渡层和氮化物帽层的中部被刻蚀贯穿形成栅极凹槽；源极和漏极，在源极和漏极之间位于栅极凹槽内的栅极，栅极与氮化物过渡层及氮化物帽层分离。本发明半导体器件中源、漏金属电极通过氮化物帽层以及氮化物过渡层与沟道层中的二维电子气相连，在利用氮极性面氮化物材料以及氮化物帽层等优势的基础上，引入一层氮化物过渡层，使得源、漏金属电极与沟道层中二维电子气之间的势垒几乎为零，接触电阻非常低，可广泛应用于氮化镓器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 电阻 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低欧姆接触电阻的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件从下到上依次包括：衬底层；位于衬底层上的氮化物成核层；位于成核层上的氮极性面的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的氮化物势垒层；位于所述氮化物势垒层上的氮化物沟道层；位于所述氮化物沟道层上的氮化物过渡层；位于所述氮化物过渡层上的氮化物帽层；所述氮化物过渡层和所述氮化物帽层的中部被刻蚀贯穿形成栅极凹槽；位于所述氮化物帽层上的源极和漏极，在源极和漏极之间位于所述栅极凹槽内的栅极，所述栅极与氮化物过渡层及氮化物帽层分离，所述栅极为肖特基结构或金属‑介质层‑半导体结构。
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