[发明专利]基于硅的中红外区磁谐振超材料结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410318204.X | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104090321A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 肖淑敏;孙四五;宋清海 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 张立娟 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅的中红外区磁谐振超材料结构，其包括两部分，一部分是基板，另一部分是硅立方块，所述基板为玻璃基板，所述硅立方块周期性分布在所述玻璃基板上，硅立方块的边长为L，L的取值范围是在1微米至5微米之间，硅立方块的间距为W，W的取值范围是在1微米至5微米之间。还提供了上述的基于硅的中红外区磁谐振超材料结构的制备方法，采用光刻的方法获得上述结构。本发明有效减少电导损耗，实现集中在中红外波段的应用，如过滤器、偏振器、光谱发射器等的设计，特提出以下基于硅的中红外区磁谐振超材料结构以及相应的制备方案，真正实现低损耗、极化不敏感、可以三维扩展、低成本的磁谐振超材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 红外 谐振 材料 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅的中红外区磁谐振超材料结构，其特征在于：其包括两部分，一部分是基板，另一部分是硅立方块，所述基板为玻璃基板，所述硅立方块周期性分布在所述玻璃基板上，硅立方块的边长为L，L的取值范围是在1微米至5微米之间，硅立方块的间距为W，W的取值范围是在1微米至5微米之间。
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