[发明专利]p型Bi0.5Sb1.5Te3基纳米多孔热电复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410319653.6 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104078557A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 徐连勇;任新宇;张浩;韩永典;荆洪阳 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人： | 吕志英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种p型Bi0.5Sb1.5Te3基纳米多孔热电复合材料的制备方法，该方法步骤：将3-5μm的Sn焊膏铺展在p型热电材料Bi0.5Sb1.5Te3上面，并放在加热台上，在260℃温度下，在Ar气的保护氛围中进行液相润湿反应，形成Sn焊膏与生成物SnTe-SbSn的均匀混合层；在Ar气体氛围下反应防止锡氧化，通过反应的时间和温度可以调控混合层反应生成物SnTe-SbSn的厚度和生成物的微观结构；将上述反应后的热电材料Bi0.5Sb1.5Te3与Sn焊膏组成的反应对进行超声震荡，酸洗，得到孔洞分布均匀的p型Bi0.5Sb1.5Te3/多孔SnTe-SbSn复合热电材料。有益效果是该制备方法得到均匀200-500μm纳米孔的SnTe-SbSn层，反应层厚度增加至40μm，反应速率为4.05μm/min，成本较低、成分准确可控。 | ||
| 搜索关键词： | bi sub 0.5 sb 1.5 te 纳米 多孔 热电 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型Bi0.5Sb1.5Te3基纳米多孔热电复合材料的制备方法，该制备方法的包括以下步骤：1)、将3‑5μm的Sn焊膏铺展在p型热电材料Bi0.5Sb1.5Te3上面，并放在加热台上，在260‑280℃温度下，在Ar气的保护氛围中进行液相润湿反应，反应时间为5‑10min，从而形成一层Sn焊膏与生成物SnTe‑SbSn的均匀混合层；在Ar气体氛围下反应防止锡氧化，通过反应的时间和温度可以调控混合层反应生成物SnTe‑SbSn的厚度和生成物的微观结构；2)、将步骤1)中反应后的热电材料Bi0.5Sb1.5Te3与Sn焊膏组成的反应对，放置于盛有浓度为10％的硝酸溶液的烧杯中，然后在温度为80℃的水浴环境中进行超声震荡，酸洗的时间为15‑30min，混合层上部的Sn焊膏和夹杂其中的Sn焊膏将被硝酸腐蚀掉，从而在SnTe‑SbSn层中形成上直径为200‑500μm的孔；其后，用蒸馏水反复多次清洗，从而得到p型Bi0.5Sb1.5Te3/多孔SnTe‑SbSn复合热电材料，由于Sn焊膏在液相的状态下反应，得到的孔洞分布均匀。
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