[发明专利]图案形成方法在审
| 申请号： | 201410319742.0 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105206507A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 翁文毅;翁子文 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种图案形成方法，包括下列步骤。提供晶片，晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯。在各晶片内部管芯上形成第一图案，且在各晶片边缘管芯上形成第二图案，其中第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，第二图案的形成方法包括进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图案形成方法，包括：提供一晶片，该晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯；以及在各该晶片内部管芯上形成一第一图案，且在各该晶片边缘管芯上形成一第二图案，其中该些第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，该些第二图案的形成方法包括进行该至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成该些第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成该些第一图案所进行的曝光制作工艺次数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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