[发明专利]一种半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410320183.5 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN105261558A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面涂覆光阻；进行曝光和显影处理，以图案化所述光阻；进行硬烘，其中，所述硬烘的温度范围为125～135℃。根据本发明的方法，对于光阻厚度较厚，离子注入深度较深的产品，采用本发明所提供的硬烘工艺条件可以更加有效的去除隐藏在光阻侧壁和底部的显影液、水汽和有机杂质，从而在注入步骤时，避免这些物质溢出造成腔体真空度变差，进而可以改善离子注入的质量和晶圆的电学性能与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面涂覆光阻；进行曝光和显影处理，以图案化所述光阻；进行硬烘，其中，所述硬烘的温度范围为125～135℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
