[发明专利]一种高质量单双层可控的二硫化钼制备方法有效
| 申请号： | 201410320352.5 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104058458B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 廖源;周献亮;周朝迅;董振超 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种层状二硫化钼制备方法，所述层状二硫化钼为单层或双层结构，其中采用化学气相沉积法，以单质的钼金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钼，其中通过对沉积温度、生长时间等制备参数的优化，实现对高质量二硫化钼单层或双层结构的控制生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 双层 可控 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种层状二硫化钼制备方法，所述层状二硫化钼为单层的，其中采用化学气相沉积法，以单质的钼金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钼，其中将沉积时的温度控制为：800℃至850℃，并且沉积时间控制为5至30分钟。
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