[发明专利]一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410321489.2 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104332512A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李新利;毛志平;马战红;李武会;任凤章;王宇飞;许荣辉;柳勇 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 471003 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该电池包括衬底、透明导电薄膜、p型微晶硅薄膜窗口层、本征微晶硅薄膜吸收层、n型微晶硅层和背反射电极，所述p型微晶硅薄膜窗口层与本征微晶硅薄膜吸收层之间设有pi界面层，所述本征微晶硅薄膜吸收层与n型微晶硅层之间设有in界面层。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池，在掺杂层与本征层之间设置过渡界面层，改善了电池的界面性能和能带结构，有利于载流子的输出和收集，从而提高了电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微晶硅 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：包括衬底、透明导电薄膜、p型微晶硅薄膜窗口层、本征微晶硅薄膜吸收层、n型微晶硅层和背反射电极；所述p型微晶硅薄膜窗口层与本征微晶硅薄膜吸收层之间设有pi界面层，所述本征微晶硅薄膜吸收层与n型微晶硅层之间设有in界面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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