[发明专利]分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法，该电池包括硅衬底，在硅衬底正面设有N型掺杂区、N型掺杂区上设有正面减反钝化膜，硅衬底背面设有背面钝化膜，制备方法还包括以下步骤：在背面钝化膜上以分布式短线的图案将背面钝化膜局部去除，露出硅衬底，形成多个去除通道；然后局域印刷硼硅浆料以覆盖去除通道；随后分别印刷背面电极层和正面电极层，并烘干；然后进行高温烧结，去除通道内的硼硅浆料与硅衬底接触界面形成分布式的P型硼重掺杂区域，组成P型硼重掺杂层；并在高温烧结过程中，同时形成正面电极层和背面电极层。本发明不仅降低了太阳能电池背面的少子在接触界面的复合速率，有利于电池开路电压和转换效率的提升，而且降低了开膜面积，进一步降低了表面的复合速率。 

主权项

一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池的制备方法，该电池包括硅衬底(3)，在硅衬底(3)正面设有N型掺杂区(2)，N型掺杂区(2)上设有正面减反钝化膜(1)，硅衬底(3)背面设有背面钝化膜(4)，其特征在于，还包括以下步骤：1)在背面钝化膜(4)上以分布式短线的图案将背面钝化膜(4)局部去除，露出硅衬底(3)，形成多个去除通道；2)然后局域印刷硼硅浆料以覆盖去除通道；3)随后分别印刷背面电极层(8)和正面电极层(7)，并烘干；4)然后进行高温烧结，去除通道内的硼硅浆料与硅衬底接触界面形成分布式的P型硼重掺杂区域(6)；并在高温烧结过程中，同时形成正面电极层(7)和背面电极层(8)，正面减反钝化膜(1)上未被正面电极层(7)覆盖的区域形成正面感光区域，背面钝化膜(4)上未被背面电极层(8)覆盖的区域形成背面感光区域。