[发明专利]一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法有效
| 申请号： | 201410322759.1 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104099565A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;郑浩然;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法：采用金属Ni作为靶材，使用磁控溅射的方法，在FTO衬底上沉积得到NiO薄膜，再于300～700℃进行后退火处理，最后于NiO薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得氧化镍压控薄膜变容管。本发明变容管的调谐率极高，驱动电压低，材料价廉，制备工艺简单、电学性能优良，调谐率≥70％，@1MHz，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 镍压控 薄膜 变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)采用金属Ni作靶材；(2)将清洁干燥的衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空抽至P<7.0×10‑6Torr，然后加热衬底至300～700℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～300W，在FTO衬底上进行沉积得到NiO薄膜；(5)步骤(4)结束后，待衬底温度降至200℃以下时，取出制品，在退火炉中进行后退火处理；(6)步骤(5)结束后，在NiO薄膜上面利用掩膜版制备金属电极。
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