[发明专利]一种氧化锌薄膜图形化的方法无效
| 申请号： | 201410322876.8 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104087897A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;许丹;于士辉;董和磊;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌薄膜图形化的方法：首先清洗基片及光刻显影，获得图形化的光刻胶；再将基片放入真空室中，进行ZnO薄膜的沉积，薄膜厚度为100nm～200nm；最后在有机溶剂中对基片进行超声剥离，得到图形化的氧化锌薄膜。本发明的图形精度高，器件具有良好的导电性和透光性，流程简单，介电性能优良，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌薄膜图形化的方法，具有如下步骤： (1)清洗基片及光刻显影 (a)将基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中干燥； (b)将光刻胶旋涂在基片上，涂层厚度为1um～2um，烘干后使用光刻掩膜版做曝光处理； (c)使用显影液将图形显影出来，获得图形化的光刻胶； (2)将显影后的基片放入真空室中，在相应的射频靶上装置氧化锌靶材，当磁控溅射的真空度<9×10‑6Pa时，开启射频源，通入工作气体，进行ZnO薄膜的沉积，所述薄膜厚度为100nm～200nm； (3)步骤(2)结束后，取出基片，在有机溶剂中对基片进行超声剥离，剥离后得到图形化的氧化锌薄膜。
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