[发明专利]MEMS谐振式压力传感器及制造工艺

摘要

本发明提供了MEMS谐振式压力传感器制造工艺，本发明中的谐振子采用硅‑硅键合来实现谐振叶片与压力敏感膜的制备，且上极板采用硅穿孔结构实现静电激励和电容拾振，同时谐振子与上极板之间采用共晶键合方法，这样不但降低了工艺难度，减小了芯片面积，而且谐振子与上极板之间的共晶键合整合工艺更简单，不需要玻璃浆料涂布的丝网印刷设备，而且使得器件精度和一致性更高。

主权项

1.一种MEMS谐振式压力传感器制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S100：提供一上极板，所述上极板中形成有第一沟槽，所述第一沟槽底部设置有若干对通孔，每对所述通孔均贯穿所述上极板的正面至反面，且该上极板的正反两面均设置有若干间隔断开的金属电极，任意一对通孔均设置于上极板正反两面的一组在竖直方向上重叠的两个金属电极之间；步骤S200：提供一具有谐振腔的硅敏感结构；步骤S300：提供一下极板，所述下极板形成有第二沟槽，所述第二沟槽底部设置有一导压孔，所述导压孔贯穿所述下极板的正面至反面；步骤S400：将所述上极板和下极板分别键合在所述硅敏感结构的正反两面，所述第一沟槽和所述第二沟槽均朝向所述硅敏感结构，且所述第一沟槽和第二沟槽夹持在谐振腔的上下两侧。