[发明专利]一种探测温度的系统和方法及设有该系统的MOCVD设备

摘要

本发明公开了一种探测温度的系统和方法及设有该系统的MOCVD设备，所述温度探测系统包括一激光发生装置和一光电探测装置，所述光电探测装置连接一计算控制单元，本发明采用所述激光发生装置发射激光，提高了入射到反应腔内基片和基片载置台表面的入射光强度，根据光的反射原理，反射进入光电探测装置的激光强度提高，使得光电探测装置能够探测到足够强的反射光强度，以实现对基片或基片载置台的反射率计算，避免了反射光强度过低或探测不到反射光强度造成无法计算基片或基片载置台反射率，进而无法计算基片和基片承载盘温度。

主权项

1.一种设有温度探测系统的MOCVD设备，包括一反应腔，所述反应腔内设置一基片载置台，所述基片载置台上承载若干基片，其特征在于：所述MOCVD设备还包括一温度探测系统，所述温度探测系统包括一激光发生装置和一光电探测装置，所述光电探测装置连接一计算控制单元，所述激光发生装置用于发射一定强度的入射激光至所述反应腔内并在所述基片或基片载置台表面发生发射；所述激光发生装置包括开和关两种状态，当所述激光发生装置设置为关状态时，所述光电探测装置用于探测基片热辐射功率，当所述激光发生装置设置为开状态时，所述光电探测装置用于探测反射激光强度和基片热辐射功率之和，所述计算控制单元用于根据反射激光强度和入射激光强度计算所述基片和所述基片载置台的发射率，并结合探测到的热辐射功率计算得出基片及基片载置台的温度。