[发明专利]包括穿通孔的半导体装置有效
| 申请号： | 201410323159.7 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104576577B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 朴日光;李锺天;金洪谦 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 具有穿通孔的半导体装置包括：半导体芯片和通过穿通半导体芯片形成的穿通孔。系统还包括：第一金属层，其在穿通孔的端部与穿通孔的一部分连接；以及第二金属层，其在穿通孔的端部与穿通孔的另一部分连接。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 穿通孔 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体芯片；穿通孔，其通过穿通所述半导体芯片来形成；第一金属层，其在所述穿通孔的端部处与所述穿通孔的一部分耦接；第二金属层，其在所述穿通孔的该端部处与所述穿通孔的另一部分耦接，其中，所述第一金属层和所述第二金属层不直接彼此耦接。
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