[发明专利]沟槽型超结功率器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种沟槽型超结功率器件和一种沟槽型超结功率器件的制造方法，其中，沟槽型超结功率器件的制造方法包括：在衬底上生长第一外延层，在第一外延层上生长第一氧化层；在第一氧化层和第一外延层上刻蚀多个深沟槽；在第一氧化层和多个深沟槽中生长第二外延层；刻蚀掉第一氧化层上的第二外延层；刻蚀掉第一氧化层，并在第一外延层和多个深沟槽上淀积氧化硅层；刻蚀掉除多个深沟槽的侧墙外的其他氧化硅层；在多个深沟槽的侧墙的屏蔽下，在任意相邻的两个深沟槽之间刻蚀浅沟槽；刻蚀掉多个深沟槽的侧墙的氧化硅层。通过本发明的技术方案，可以使浅槽的光刻不受对准程度的影响，减少光刻次数，并极大地提高元胞密度，进而提高器件的性能。

主权项

1.一种沟槽型超结功率器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上生长第一外延层，在所述第一外延层上生长第一氧化层；在所述第一氧化层和所述第一外延层上刻蚀多个深沟槽；在所述第一氧化层和所述多个深沟槽中生长第二外延层；刻蚀掉所述第一氧化层上的所述第二外延层；刻蚀掉所述第一氧化层，并在所述第一外延层和所述多个深沟槽上淀积氧化硅层；刻蚀掉除所述多个深沟槽的侧墙外的其他氧化硅层；在所述多个深沟槽的侧墙的屏蔽下，在任意相邻的两个深沟槽之间刻蚀浅沟槽；刻蚀掉所述多个深沟槽的侧墙的氧化硅层；所述第一氧化层的厚度等于所述浅沟槽的深度。