[发明专利]恒流二极管的制造方法和恒流二极管在审
| 申请号： | 201410324088.2 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448711A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宇萍;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种恒流二极管的制造方法和一种恒流二极管，其中，恒流二极管的制造方法，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。本发明的技术方案使得恒流二极管与肖特基二极管可以采用相同的工艺平台进行开发，降低了半导体器件的生产成本，并且有效扩展了半导体器件的生产线。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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