[发明专利]应用至背光源的LED发光结构有效

专利信息
申请号: 201410325205.7 申请日: 2014-07-09
公开(公告)号: CN105226170B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 张智超;葉宏立;庄博翔;林群哲;刘如熹 申请(专利权)人: 东贝光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种应用至背光源的LED发光结构,主要是利用可激发出红光的红色荧光粉、可激发出黄光的黄色荧光粉,以及蓝光发光二极管芯片,并将该红色荧光粉和该黄色荧光粉所掺杂的比例范围控制在(2.33~1)1,使原始LED白光落于CIE1931坐标中,ccy1.8*ccx‑0.12、ccy1.8*ccx‑0.336、ccy0.33及ccy0.15所围成的区域范围内。由于本发明使用的该红色荧光粉特性上完全不会与黄光作吸收转换反应,因此可降低黄色荧光粉激发后的黄光亮度损失,且在该范围内搭配任何彩色滤光片,皆可有效达到较高NTSC效果以及LED发光效率。
搜索关键词: 应用 背光源 led 发光 结构
【主权项】:
一种应用至背光源的LED发光结构,其特征在于其包含:基座;蓝光发光二极管芯片,其设于该基座上;红色荧光粉,并借由吸收自该蓝光发光二极管芯片所发射的蓝光而激发出红光;黄色荧光粉,借由吸收自该蓝光发光二极管芯片所发射的蓝光而激发出黄光;及封胶,用以封装该蓝光发光二极管芯片、该红色荧光粉和该黄色荧光粉;其中该红色荧光粉被激发出的光束为波长630nm的红光,且主波长半波宽小于10nm,且该红色荧光粉其化学式是T2XF6:Mn4+,T选自Li、Na,、K、Rb其中之一;而X选自Ge,Si,Sn,Zr,Ti其中之一;该黄色荧光粉被激发出的黄光波长为540nm~550nm,且该黄色荧光粉相对于该红色荧光粉掺杂比例范围控制在2.33:1或(1.5~1):1,使该蓝光发光二极管芯片发出的蓝光、该红色荧光粉所激发出的红光,和该黄色荧光粉所激发出的黄光相互混合形成的白光落于CIE 1931色度坐标上ccy 1.8*ccx‑0.12、ccy 1.8*ccx‑0.336、ccy 0.33及ccy 0.15所围成的区域范围内,其中ccx代表CIE 1931色度坐标X轴;ccy代表CIE 1931色度坐标Y轴;其中,前述的白光通过彩色滤光片后形成三原色光,其中蓝光落于CIE 1931色度坐标(0.15±0.05,0.08±0.05)所界定的四方型区域中;红光落于CIE 1931色度坐标(0.67±0.05,0.3±0.05)所界定的四方型区域中;而绿光落于CIE 1931色度坐标(0.30±0.05,0.63±0.05)所界定的四方型区域中;其中,该黄色荧光粉的化学式为(Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu;其中,该基座为平板结构或杯体结构。
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