[发明专利]具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410325340.1 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282746A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 竹谷亓伸;李宽铉;郑暎都 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法。所述具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管包括：基板上的漏极；基板上的漂移层；p型氮化镓(GaN)电流势垒层，配置于漂移层的上部而限定p型氮化镓电流势垒层之间的电流孔径，且电流孔径提供载流子朝垂直方向移动的路径；沟道层，配置于p型氮化镓电流势垒层和漂移层之上，并具有上部的二维电子气层；半导体层，配置于沟道层上而用于使二维电子气层形成；金属接触层，贯通沟道层而与p型氮化镓电流势垒层接触；金属接触层和沟道层上的源极层；栅绝缘层和栅极层，依次层叠于作为沟道层的相反侧的半导体层的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 电流 势垒层 垂直 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，包括：基板上配置的n+型氮化镓层；n+型氮化镓层的第一区域上配置的漂移层；n+型氮化镓层的第二区域上配置的漏极；p型氮化镓电流势垒层，配置于所述漂移层的上部而限定所述p型氮化镓电流势垒层之间的电流孔径，且所述电流孔径提供载流子朝垂直方向移动的路径；沟道层，配置于所述p型氮化镓电流势垒层和漂移层之上，并具有上部的二维电子气层；半导体层，配置于所述沟道层上而用于使所述二维电子气层形成；金属接触层，贯通所述沟道层而与所述p型氮化镓电流势垒层接触；所述金属接触层和沟道层上的源极层；栅绝缘层和栅极层，依次层叠于作为所述沟道层的相反侧的所述半导体层的上表面上。
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