[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410325537.5 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105448678B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 胡建强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成非掺杂多晶硅栅极层；对所述非掺杂多晶硅栅极层进行N型掺杂离子注入，以在所述非掺杂多晶硅栅极层的表面形成重掺杂N型掺杂离子层；刻蚀所述非掺杂多晶硅栅极层以形成栅极结构；进行P型掺杂离子源漏极离子注入，同时将所述重掺杂N型掺杂离子层转变为轻掺杂N型掺杂离子层；在所述半导体衬底的有源区和所述栅极结构之上形成金属硅化物。根据本发明的制作方法，在P型多晶硅栅极表面形成轻掺杂N型掺杂离子层，再形成金属硅化物层，可有效抑制由于之后的高温退火工艺导致的金属硅化物堆积问题的出现，进而提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和外围区；在所述外围区形成PMOS晶体管的方法包括：在所述半导体衬底上形成非掺杂多晶硅栅极层，对所述非掺杂多晶硅栅极层进行N型掺杂离子注入，以在所述非掺杂多晶硅栅极层的表面形成重掺杂N型掺杂离子层，刻蚀所述非掺杂多晶硅栅极层以形成栅极结构，进行P型掺杂离子源漏极离子注入，同时将所述重掺杂N型掺杂离子层转变为轻掺杂N型掺杂离子层，并在所述轻掺杂N型掺杂离子层下方形成P型离子掺杂区，其中，所述轻掺杂N型掺杂离子层用于抑制之后退火工艺导致的金属硅化物堆积问题，在所述半导体衬底的有源区和所述栅极结构之上形成金属硅化物；在核心区形成Ti/TiN阻挡层，并进行退火，以在核心区形成钛硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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