[发明专利]一种带有AAO纳米光栅的新型太阳能电池双重陷光结构无效
| 申请号： | 201410325837.3 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104064607A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张海明;张晶晶;秦飞飞;王彩霞;郭聪 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/054;H01L31/056;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 提出将AAO模板作为纳米光栅引入到太阳能电池结构中，设计制备了一种表面和底部均带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的薄膜硅太阳能电池双重陷光结构。该陷光结构的表面减反结构由AAO和ITO构成，背反射结构由AAO、ITO、Ag构成。利用FDTD solution软件对AAO结构参数进行了优化。该陷光结构可有效地减少太阳能电池表面反射损耗，提高长波长光子在吸收层中的光程，从而增加薄膜硅太阳能电池在280-1100nm范围内的光吸收，吸收相对增强可以达到74.44％。由于AAO制作简便，成本低廉，适于批量生产，可以预计在不久的将来，AAO在薄膜硅太阳能电池应用上必将发挥更大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 aao 纳米 光栅 新型 太阳能电池 双重 结构 | ||
【主权项】：
一种带有AAO纳米光栅的新型太阳能电池双重陷光结构，由表面AAO减反结构和背面AAO、Ag背反射结构组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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