[发明专利]半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法

摘要

本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定出与黑体炉靶心处温度T₀相对应的黑体炉辐射光强P₀，再利用第二探测装置调节光源的光强至已知的P₀，可以将光源等效为一个温度为T₀的热辐射源，之后将已经调节好光强的光源置于半导体薄膜反应腔的狭缝窗口底部，并将此时探测到经过半导体薄膜反应腔后的光线的最大光强P₀＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T₀时温度探测装置探测到的热辐射强度，最后，在已知T₀和P₀＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的温度探测装置进行校准。该光源能够模拟温度为T₀时的黑体辐射P₀＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。

主权项

半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，其特征在于，包括以下步骤：光强探测装置探测靶心处温度为T₀的黑体炉的辐射光强P₀；光源设置于所述黑体炉靶心处，调节所述光源，使得所述光强探测装置探测到的光强为P₀；保持所述光源发光光强不变，将所述光源置于半导体薄膜反应腔的狭缝窗口底部，通过温度探测装置探测透过所述狭缝窗口后光线的光强；平移所述光源，直至透过所述狭缝窗口后光线的光强达到最大值P₀＇，将所述光强P₀＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T₀时，所述温度探测装置探测到的热辐射强度；在已知T₀和P₀＇的条件下，对所述半导体薄膜反应腔的温度探测装置进行校准。