[发明专利]一种半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201410326153.5 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105244368B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 钟浩;余云初;沈忆华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，在保护环中包括设置于鳍型结构上方的第一导电连接件以及连接至少两个第一导电连接件的第二导电连接件，由于第二导电连接件将不同的第一导电连接件实现电性连接且与第一导电连接件为一体结构，因此，可以形成低阻的保护环，使保护环更好地发挥作用。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括位于半导体衬底上的晶体管组件以及位于所述半导体衬底上且位于所述晶体管组件的外围的保护环，其特征在于，所述保护环包括位于所述半导体衬底上的平行排列的鳍型结构与位于所述鳍型结构之上且连接至少两个所述鳍型结构的第一导电连接件，还包括连接至少两个所述第一导电连接件的第二导电连接件，其中所述第二导电连接件与所述第一导电连接件为一体结构，二者之间不存在空隙，以使所述保护环为低阻的保护环。
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